...th 时，源汲极间开始导通，考虑源极和汲极电 位差不大的情形，反转层的电子密度约和(VGS-Vth)成正比，因此通道的电阻和(VGS-Vth) 成反比，故在VDS 很小的区域，ID 对VDS 的关系几乎为一条直线，而且对相同的 VDS，(VGS-Vth)愈大则导电电子愈多，ID 愈大。

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...效为一压控电流源，故可用跨导gm来表示MOS管的电压转变电流的能力，跨导越大则表示该MOS管越灵敏，在同样的过驱动电压（VGS-Vth）下能引起更大的电流，根据定义，跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率，即： 饱和区跨导的倒数等于深三极管区的导通...

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